Samsung‘un yarı iletken üretim sürecindeki son teknolojik gelişmeleri, sanayi içerisinde dikkat çekiyor. Bilhassa 3nm ve 4nm üretim süreçlerinde müşteri çekme konusunda zorlanan şirket, bu mahzurlara karşın daha ileri teknolojiler üzerinde çalışmalarını sürdürüyor. Bu yıl içerisinde 3nm teknolojisi kullanılarak üretim yapmayı planlayan Samsung, birebir vakitte 2nm sürecinde kullanılacak olan yeni jenerasyon kapı etrafı transistör (GAA) teknolojisini geliştiriyor. 2025 yılında bu teknolojinin seri üretimine başlaması bekleniyor.
GAA teknolojisi, transistör dizaynında bir yenilik olarak karşımıza çıkıyor ve akım akışını güzelleştirerek performansı artırıyor. Samsung, bu teknolojiyi birinci olarak 3nm sürecinde kullanmış ve şu ana kadar yalnızca kendi Exynos işlemcilerinde bu teknolojiden faydalanmış. Birinci jenerasyon 3nm GAA çipi, 5nm çiplere kıyasla alan azaltma, performans artışı ve güç verimliliği mevzularında kıymetli iyileştirmeler sunuyor.
Samsung şimdiye kadar ki en küçük çip için tarih verdi
İleriye dönük olarak, Samsung 2024 yılında ikinci jenerasyon 3nm GAA teknolojisiyle üretime başlamayı hedefliyor. Bu teknolojinin, mevcut imkanlardan daha fazla ilerleme sağlaması bekleniyor. Samsung’un ana rakipleri olan TSMC ve Intel şimdi GAA teknolojisini benimsemezken, her iki şirketin de yakın gelecekte 2nm süreçlerinde bu teknolojiyi kullanmaları öngörülüyor.
Bu ortada, Samsung‘un ASUS tarafından dava edildiği bilgisi de gündemde yer alıyor. Lakin bu husus hakkında ayrıntılı bilgi verilmediği için, teknoloji ve üretim süreçlerine odaklanmak daha faydalı olacaktır. Samsung, bu teknolojileri yaklaşan sanayi konferanslarında sergilemeyi planlıyor, böylelikle daldaki yenilikçi yaklaşımlarını ve teknolojik liderliğini pekiştirmeyi amaçlıyor.
